Descripción
Descripción
El susceptor de grafito MOCVD es un componente crítico dentro de los sistemas de deposición de vapor químico orgánico y metálico (MOCVD). Sirve como una plataforma térmicamente conductora de alta-temperatura diseñada para sujetar de forma segura y calentar uniformemente sustratos semiconductores durante el crecimiento epitaxial de películas delgadas.
embalaje y entrega
Paquete de caja de madera
característica
- Excelente conductividad térmica para una transferencia de calor rápida y uniforme.
- Alta resistencia mecánica y estabilidad dimensional en condiciones extremas.
- Superficie lisa y mecanizada con precisión para una colocación estable del sustrato
- Diseñado para influir en la dinámica del flujo de gas y los gradientes térmicos.
ventaja
- Garantiza un espesor de película uniforme y una calidad cristalina superior en la epi-capa
- Permite una alta repetibilidad y rendimiento del proceso mediante un control estable de la temperatura del sustrato
- Extiende la vida útil y reduce la contaminación por partículas debido a la resistencia a la corrosión.
- Mantiene la integridad estructural a pesar de los repetidos ciclos térmicos, lo que garantiza la confiabilidad del proceso.
solicitud
- Se utiliza principalmente en reactores MOCVD para el crecimiento epitaxial de capas semiconductoras compuestas (p. ej., GaN, GaAs, InP) sobre sustratos como silicio, carburo de silicio o zafiro.
- Esencial para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos (LED, diodos láser) y semiconductores de potencia de radio-frecuencia (RF).
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